[뉴스로드] 삼성전자가 세계 최초로 파운드리(반도체 위탁생산) 3나노미터(㎚=10억분의 1ｍ) 공정의 양산에 돌입한다.22일 업계에 따르면 삼성전자는 다음 주 중 차세대 GAA(Gate-All-Around) 기반 3나노 반도체 공정의 양산을 공식 발표할 것으로 알려졌다.GAA는 기존 핀펫(FinFET) 기술보다 칩 면적을 줄이고 소비전력은 감소시키면서 성능은 높인 신기술이다.삼성전자는 그간 GAA 기술을 적용해 올해 상반기 내 대만의 TSMC보다 먼저 3나노 양산을 시작하겠다는 목표를 제시해왔다. 올초 TSMC는 하반기에 3나노 반
