삼성전자의 지난해 4분기 D램 점유율이 7년여만에 최고 수준을 기록하며 1위 수성에 성공했다. 

27일 시장조사업체 옴디아에 따르면 삼성전자의 지난해 4분기 D램 점유율은 45.7%로 1위였다. 이는 2016년 3분기 48.2%를 기록한 이후 가장 높은 수준이다.

삼성전자는 전 분기(38.7%) 대비 D램 점유율을 7%p 늘리며, 2위인 SK하이닉스를 14%p 차이로 따돌렸다.

지난해 SK하이닉스의 D램 점유율은 31.7%, 3위 마이크론의 점유율은 19.1%로 집계됐다.

삼성전자의 4분기 D램 시장 매출은 전 분기 대비 21%, 전년 동기 대비 39% 증가하며 6분기만에 상승세로 돌아섰다. 

모바일 D램 가격 상승에 힘입어, 삼성전자의 4분기 D램 평균 가격은 전 분기보다 12% 올랐고, 출하량은 전 분기 대비 16% 증가했다.

DDR5와 고대역폭 메모리(HBM) 등 고부가 제품의 매출이 크게 늘며 매출 상승에 기여한 것으로 풀이된다. 

올해도 D램 매출은 증가할 것으로 예측된다.

삼성전자는 올해 HBM 생산을 위해 실리콘 관통 전극(TSV) 생산능력을 업계 최고 수준으로 늘릴 계획이다.

[뉴스로드] 홍성호 기자 newsroad01@newsroad.co.kr